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5962-8770301WX
存储 > SRAM

5962-8770301WX

Lansdale Semiconductor Inc
Cache SRAM, 256X9, 70ns, Bipolar, PDIP22, 0.375 X 1.125 INCH, DIP-22
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.27
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 2078402279
零件包装代码 DIP
包装说明 DIP,
针数 22
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 7.27
YTEOL 4
最长访问时间 70 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T22
内存密度 2304 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM
内存宽度 9
功能数量 1
端子数量 22
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 256X9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 BIPOLAR
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
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