随身查
扫码添加小程序
手机随时查器件
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 8318775711 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 8.57 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 8 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.08 A |
| FET 技术 | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带 | K BAND |
| JESD-30 代码 | R-XUUC-N4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.8 W |
| 最小功率增益 (Gp) | 11 dB |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
登录 
苏公网安备 32059002001873号