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CAT93C66VI-GT3
存储 > EEPROM

CAT93C66VI-GT3

EEPROM Serial 4-Kb Microwire, SOIC 8, 150 mils, 3000-REEL
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥0.7243
市场总库存:
141,079
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.33
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid CAT93C66VI-GT3
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 1810618009
零件包装代码 SOIC 8, 150 mils
包装说明 0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
针数 8
制造商包装代码 751BD
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Philippines
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 0.33
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.9
其他特性 100 YEAR DATA RETENTION
备用内存宽度 8
最大时钟频率 (fCLK) 2 MHz
数据保留时间-最小值 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
长度 4.9 mm
内存密度 4096 bit
内存集成电路类型 EEPROM
内存宽度 16
湿度敏感等级 1
功能数量 1
端子数量 8
字数 256 words
字数代码 256
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 256X16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE
最大待机电流 0.00001 A
最大压摆率 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 3.9 mm
写保护 SOFTWARE
参数规格与技术文档
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