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CEB12N5
晶体管 > 功率场效应晶体管

CEB12N5

Chino-Excel Technology Corp
Transistor
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.48
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 113506155
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.48
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V
最大漏极电流 (ID) 12 A
最大漏源导通电阻 0.54 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 20 pF
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 166 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
最大关闭时间(toff) 356.6 ns
最大开启时间(吨) 114.4 ns
参数规格与技术文档
Chino-Excel Technology Corp
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