DE275-201N25-00

晶体管 > 功率场效应晶体管

DE275-201N25-00

Directed Energy Inc

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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-

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-

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8.48

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设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 79 个替代料
Toshiba America Electronic Components 35 个替代料
onsemi 3 个替代料
Avago Technologies 2 个替代料
Broadcom Limited 1 个替代料
Infineon Technologies AG 3 个替代料
Polyfet RF Devices 4 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 4 个替代料
IXYS Corporation 10 个替代料
Panasonic Electronic Components 1 个替代料
Advanced Semiconductor Inc 1 个替代料
Littelfuse Inc 3 个替代料
Directed Energy Inc 12 个替代料

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