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DM2212J-15L
存储 > DRAM

DM2212J-15L

Ramtron International Corporation
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.76
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1125504205
包装说明 SOJ, SOJ28,.34
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.76
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE/STATIC COLUMN
最长访问时间 15 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0
长度 18.38 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE DRAM
内存宽度 4
端口数量 1
端子数量 28
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ28,.34
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240
认证状态 Not Qualified
刷新周期 2048
座面最大高度 2.48 mm
自我刷新 YES
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.18 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
宽度 7.62 mm
参数规格与技术文档
Ramtron International Corporation
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