Sun Jun 16 2024 09:28:02 GMT+0800 (China Standard Time)

随身查
mini app
扫码添加小程序
手机随时查器件
DM2212J1-12L
存储 > DRAM

DM2212J1-12L

Ramtron International Corporation
Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SO-28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.83
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1494294190
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOJ, SOJ28,.34
针数 28
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 9.83
YTEOL 0
访问模式 FAST PAGE/STATIC COLUMN
最长访问时间 30 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 512 X 4 SRAM
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28
JESD-609代码 e0
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 CACHE DRAM
内存宽度 4
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 28
字数 1048576 words
字数代码 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 1MX4
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ
封装等效代码 SOJ28,.34
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified
刷新周期 1024
自我刷新 YES
最大待机电流 0.001 A
最大压摆率 0.225 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 MOS
温度等级 COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD
端子形式 J BEND
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Ramtron International Corporation
团队正努力扩充器件资源,敬请期待!
对比栏已满,请删除不需要的器件再继续添加哦!
对比栏
取消