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DPS512S8N-12C
存储 > SRAM

DPS512S8N-12C

Force Technologies Ltd
SRAM Module, 512KX8, 120ns, CMOS, CDMA32, 0.600 INCH, CERAMIC, SIDE BRAZED, DIP-32
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
6.53
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 8140313443
包装说明 ,
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin UK
ECCN代码 3A991.B.2.A
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 6.53
YTEOL 4
最长访问时间 120 ns
JESD-30 代码 R-CDMA-T32
长度 42.164 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 32
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL
座面最大高度 9.779 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm
端子位置 DUAL
宽度 15.24 mm
参数规格与技术文档
Force Technologies Ltd
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