晶体管 > 小信号场效应晶体管

FDG6313N_NL

Fairchild Semiconductor Corporation

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC70-6

数据手册:

下载: FDG6313N_NL

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.05

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 101 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 29 个替代料
onsemi 8 个替代料
Alpha & Omega Semiconductor 2 个替代料
STMicroelectronics 3 个替代料
Infineon Technologies AG 4 个替代料
Vishay Intertechnologies 13 个替代料
Renesas Electronics Corporation 11 个替代料
Diodes Incorporated 4 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 1 个替代料
SANYO Electric Co Ltd 5 个替代料
NXP Semiconductors 1 个替代料
Powerex Power Semiconductors 1 个替代料
ROHM Semiconductor 6 个替代料
American Power Devices Inc 2 个替代料
International Rectifier 4 个替代料
Samsung Semiconductor 1 个替代料
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd 1 个替代料
Supertex Inc 1 个替代料
Advanced Power Electronics Corp 3 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 1 个替代料

对比栏已满，请删除不需要的器件再继续添加哦！

对比栏

对比清空对比栏

ICP经营许可证苏B2-20140176 苏ICP备14012660号-5

苏公网安备 32059002001873号