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HYB18H512321B2F-12
存储 > DRAM

HYB18H512321B2F-12

Qimonda AG
Synchronous Graphics RAM, 16MX32, 0.22ns, CMOS, PBGA136, 10 X 14 MM, GREEN, PLASTIC, MO-207IDR-Z, TFBGA-136
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.64
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1597238220
零件包装代码 DSBGA
包装说明 TFBGA, BGA136,12X17,32
针数 136
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.28
风险等级 9.64
YTEOL 0
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.22 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 833 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B136
长度 14 mm
内存密度 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度 32
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 136
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度
组织 16MX32
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装等效代码 BGA136,12X17,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面最大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 4,8
最大待机电流 0.335 A
最大压摆率 0.72 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 10 mm
参数规格与技术文档
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