HYB18T1G160AF-5

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HYB18T1G160AF-5

DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-92

数据手册:

下载: HYB18T1G160AF-5

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.57

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料同型号不同厂商

替代料

全部厂商 120 个替代料
Micron Technology Inc 19 个替代料
ProMOS Technologies Inc 91 个替代料
Qimonda AG 3 个替代料
Samsung Semiconductor 1 个替代料
Infineon Technologies AG 1 个替代料
SK Hynix Inc 4 个替代料
Nanya Technology Corporation 1 个替代料

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