HYB18T1G400C2F-3

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HYB18T1G400C2F-3

Qimonda AG

DDR DRAM, 256MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60

数据手册:

下载: HYB18T1G400C2F-3

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

8.66

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 120 个替代料
Micron Technology Inc 84 个替代料
Samsung Semiconductor 14 个替代料
Qimonda AG 12 个替代料
Nanya Technology Corporation 1 个替代料
ProMOS Technologies Inc 9 个替代料

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