晶体管 > 功率场效应晶体管

IDM30512CW100

Integra Technologies Inc

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

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-

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-

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风险等级:

8.48

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 10 个替代料
Infineon Technologies AG 1 个替代料
NXP Semiconductors 6 个替代料
Freescale Semiconductor 3 个替代料

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