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ILD0912M150HV

Integra Technologies Inc

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册:

下载: ILD0912M150HV

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

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风险等级:

8.65

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 94 个替代料
NXP Semiconductors 47 个替代料
Freescale Semiconductor 29 个替代料
Avago Technologies 5 个替代料
Broadcom Limited 7 个替代料
STMicroelectronics 1 个替代料
Cree, Inc. 3 个替代料
MACOM 1 个替代料
Motorola Semiconductor Products 1 个替代料

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