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LBAS21SLT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:JT , VR (V):250, IF (mA):225, VF Max(V):1, VF IF(mA):100

数据手册:

下载: LBAS21SLT1G

ECAD 模型:

市场均价:

-

市场总库存:

-

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.61

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料

替代料

全部厂商 93 个替代料
Diodes Incorporated 9 个替代料
Taiwan Semiconductor 3 个替代料
Vishay Intertechnologies 3 个替代料
onsemi 10 个替代料
PanJit Semiconductor 10 个替代料
Unisonic Technologies Co Ltd 2 个替代料
Central Semiconductor Corp 18 个替代料
LRC Leshan Radio Co Ltd 6 个替代料
Won-Top Electronics Co Ltd 2 个替代料
Continental Device India Ltd 1 个替代料
ROHM Semiconductor 1 个替代料
NXP Semiconductors 2 个替代料
Infineon Technologies AG 2 个替代料
Micro Commercial Components 1 个替代料
Fairchild Semiconductor Corporation 2 个替代料
Kuwait Semiconductor Co Ltd 1 个替代料
Toshiba America Electronic Components 1 个替代料
Allegro MicroSystems LLC 1 个替代料
SynSemi Inc 1 个替代料
Jinan Gude Electronic Device Co Ltd 4 个替代料
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd 3 个替代料
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD. 4 个替代料
Transys Electronics Limited 1 个替代料
JGD Semiconductors Co Ltd 4 个替代料
Silicon Standard Corp 1 个替代料

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