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LBAS21SLT1G

LRC Leshan Radio Co Ltd

Device Marking:JT , VR (V):250, IF (mA):225, VF Max(V):1, VF IF(mA):100

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Active

风险等级:

7.61

风险等级:

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1221183080
包装说明	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	7.61
配置	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流	0.625 A
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.225 W
最大重复峰值反向电压	250 V
最大反向恢复时间	0.05 µs
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Device Marking	JT
VR (V)	250
IF (mA)	225
VF Max(V)	1
VF IF(mA)	100
IR Max(µA)	0.1
IR VR(V)	200
trr(ns)	50
Style	C
Package	SOT-23
二级类别	SWITCHING DIODES
三级类别	3 Pin Surface Mount Switching Diodes

参数规格与技术文档

LRC Leshan Radio Co Ltd