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M1Y1G64DS8HB1G-5T
存储 > DRAM

M1Y1G64DS8HB1G-5T

Nanya Technology Corporation
DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, GREEN, DIMM-184
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Active
风险等级:
7.55
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 1624431196
零件包装代码 DIMM
包装说明 DIMM,
针数 184
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Taiwan
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 7.55
YTEOL 3.5
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N184
内存密度 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE
内存宽度 64
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 184
字数 134217728 words
字数代码 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 128MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装代码 DIMM
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified
自我刷新 YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.6 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
Nanya Technology Corporation
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