参数名称 | 参数值 |
---|---|
生命周期 | Active |
Objectid | 114040648 |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Taiwan |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
风险等级 | 7.56 |
YTEOL | 5.05 |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 8 |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N204 |
长度 | 67.6 mm |
内存密度 | 8589934592 bit |
内存集成电路类型 | DDR3 DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 204 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM204,24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
座面最大高度 | 30.5 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 8 |
最大待机电流 | 0.053 A |
最大压摆率 | 2.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 2.7 mm |