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MT28C128516W18DBW-F606P85KTBWT
存储 > 其他内存集成电路

MT28C128516W18DBW-F606P85KTBWT

Micron Technology Inc
Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA77, LEAD FREE, FBGA-77
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Obsolete
风险等级:
9.66
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 2001605812
零件包装代码 BGA
包装说明 LFBGA,
针数 77
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.71
风险等级 9.66
YTEOL 0
其他特性 CELLULARRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16; CONTAINS ADDITIONAL 4M X 16 FLASH
JESD-30 代码 R-PBGA-B77
JESD-609代码 e1
长度 10 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 77
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -25 °C
组织 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.95 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子面层 TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
宽度 8 mm
参数规格与技术文档
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