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NPT25015DT
晶体管 > 射频场效应晶体管

NPT25015DT

Nitronex
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET, ROHS COMPLIANT, PSOP2, 8 PIN
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.22
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1822402113
零件包装代码 SOIC
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 8.22
其他特性 HIGH RELIABILITY
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 100 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 3
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM NITRIDE
参数规格与技术文档
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