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T15M256B-100DG
存储 > SRAM

T15M256B-100DG

TM Technology Inc
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.2
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
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详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 1154969426
包装说明 SOP, SOP28,.45
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.41
风险等级 8.2
最长访问时间 100 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G28
内存密度 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
端子数量 28
字数 32768 words
字数代码 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 32KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP28,.45
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大待机电流 0.00001 A
最小待机电流 1.5 V
最大压摆率 0.02 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
TM Technology Inc
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