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WPM80N02R1N30
功率场效应晶体管 > 晶体管

WPM80N02R1N30

WPMSEMI 维攀电子
-, DFN3x3S-8L, N, Y, 20, 12, 80, 35, 1, 4.8, 6.5, 9, 3775, 730, 525, 35, 11.5, 14, 130
数据手册:
-
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
-
风险等级:
-
风险等级:
暂无风险等级信息
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Package DFN3x3S-8L
Channel N
ESD Diode Y
VDS (V) 20
VGS (±V) 12
ID (A) 80
PD (W) 35
VGS(th) Max. (V) 1
RDS(ON) Max. (mΩ) at VGS= 4.5V 4.8
RDS(ON) Max. (mΩ) at VGS= 2.5V 6.5
RDS(ON) Max. (mΩ) at VGS= 1.8V 9
Ciss (pF) 3775
Coss (pF) 730
Crss (pF) 525
Qg (nC) 35
Qgd (nC) 11.5
tD(on) (nS) 14
tD(off) (nS) 130
参数规格与技术文档
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