参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | LP0701N3-G |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1155388619 |
包装说明 | GREEN PACKAGE-3 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Thailand |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time | 8 weeks 4 days |
风险等级 | 1.07 |
Samacsys Description | MOSFET 16.5V 1.5Ohm |
Samacsys Manufacturer | Microchip |
Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
YTEOL | 24.61 |
其他特性 | LOW THRESHOLD |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 16.5 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 60 pF |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | TS 16949 |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |