参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | TC426MJA |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
Objectid | 1549734655 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
Country Of Origin | Thailand |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time | 6 weeks |
风险等级 | 1.08 |
Samacsys Manufacturer | Microchip |
Samacsys Modified On | 2020-06-16 13:08:23 |
YTEOL | 24.61 |
高边驱动器 | YES |
输入特性 | STANDARD |
接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 9.78 mm |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
标称输出峰值电流 | 1.5 A |
输出极性 | INVERTED |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | TS 16949 |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大压摆率 | 12 mA |
最大供电电压 | 18 V |
最小供电电压 | 4.5 V |
电源电压1-最大 | 18 V |
电源电压1-分钟 | 4.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
断开时间 | 0.135 µs |
接通时间 | 0.18 µs |
宽度 | 7.62 mm |