晶体管 > 小信号场效应晶体管

2N7002DWH6327XTSA1

Infineon Technologies AG

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-6

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥1.7863

市场总库存:

1,469,358

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.49

风险等级:

低

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	2N7002DWH6327XTSA1
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1299750532
包装说明	SOT-363, 6 PIN
针数	6
Reach Compliance Code	Compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.49
Samacsys Description	Dual N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 Infineon 2N7002DWH6327XTSA1
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2023-03-07 16:10:32
其他特性	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (ID)	0.3 A
最大漏源导通电阻	3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	3 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	0.5 W
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON