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AT24C512BN-SH-B

Atmel Corporation

EEPROM, 64KX8, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

市场总库存:

生命周期状态:

Obsolete

风险等级:

9.48

风险等级:

高

设计

产品

长期

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1600314417
零件包装代码	SOIC
包装说明	0.150 INCH, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
针数	8
Reach Compliance Code	Unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.51
风险等级	9.48
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e4
长度	4.9 mm
内存密度	524288 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000001 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE