参数名称 | 参数值 |
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Source Content uid | BSP171PH6327XTSA1 |
是否无铅 | ![]() |
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Active |
Objectid | 1289445437 |
包装说明 | GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | Compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 0.58 |
Samacsys Description | Transistor,MOS, P ch,60V, BSP171P |
Samacsys Manufacturer | Infineon |
Samacsys Modified On | 2023-06-22 02:40:13 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 1.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 55 pF |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.8 W |
参考标准 | AEC-Q101 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |