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    晶体管 > 小信号场效应晶体管

    BSS123LT1G

    onsemi
    Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL
    数据手册:
    ECAD 模型:
    市场均价:
    ¥0.3206
    市场总库存:
    9,581,358
    生命周期状态:
    Active
    风险等级:
    0.67
    风险等级:
    设计
    产品
    长期
    参数规格
    相关器件
    详细参数
    参数名称 参数值
    Source Content uid BSS123LT1G
    Brand Name onsemi
    是否无铅 不含铅 不含铅
    是否Rohs认证 符合 符合
    生命周期 Active
    Objectid 2014175875
    零件包装代码 SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
    包装说明 SOT-23, 3 PIN
    针数 3
    制造商包装代码 318
    Reach Compliance Code Compliant
    ECCN代码 EAR99
    HTS代码 8541.29.00.95
    风险等级 0.67
    Samacsys Description RoHS Compliant
    Samacsys Manufacturer onsemi
    Samacsys Modified On 2025-01-22 16:53:39
    配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压 100 V
    最大漏极电流 (ID) 0.17 A
    最大漏源导通电阻 6 Ω
    FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    最大反馈电容 (Crss) 4 pF
    JEDEC-95代码 TO-236
    JESD-30 代码 R-PDSO-G3
    JESD-609代码 e3
    湿度敏感等级 1
    元件数量 1
    端子数量 3
    工作模式 ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度 150 °C
    最低工作温度 -55 °C
    封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
    封装形状 RECTANGULAR
    封装形式 SMALL OUTLINE
    峰值回流温度(摄氏度) 260
    极性/信道类型 N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
    认证状态 Not Qualified
    表面贴装 YES
    端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
    端子形式 GULL WING
    端子位置 DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间 30
    晶体管元件材料 SILICON
    参数规格与技术文档
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    • 技术文档
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