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BSS138PS,115
晶体管 > 小信号场效应晶体管

BSS138PS,115

BSS138PS - 60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET TSSOP 6-Pin
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥2.1720
市场总库存:
50
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
5.79
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid BSS138PS,115
Brand Name NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
零件包装代码 TSSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
制造商包装代码 SOT363
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 5.79
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.32 A
最大漏源导通电阻 1.6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 2
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
数据手册与技术文档
NXP Semiconductors
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