二极管 > 瞬态抑制器

ESD5Z3.3T1G

onsemi

ESD Protection Diode, SOD-523 3.3 V, SOD-523 2 LEAD, 3000-REEL

数据手册:

ECAD 模型:

市场均价:

￥0.1423

市场总库存:

1,596,395

生命周期状态:

Active

风险等级:

1.15

风险等级:

低

设计

产品

长期

参数规格设计资源替代料价格 & 库存

参数规格

详细参数

参数名称	参数值
Source Content uid	ESD5Z3.3T1G
Brand Name	onsemi
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	2061321598
零件包装代码	SOD-523 2 LEAD
包装说明	SOD-523, 2 PIN
针数	2
制造商包装代码	502
Reach Compliance Code	Compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.10.00.50
风险等级	1.15
Samacsys Description	Low Clamping Voltage; Small Body Outline Dimensions: 0.047″ x 0.032″ (1.20 mm x 0.80 mm); Low Leakage; Response Time is Typically < 1 ns; IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection and IEC61000−4−4 Level 4 EFT Protection; SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable; Peak Power up to 240 Watts @ 8 x 20 s Pulse; Low Body Height: 0.028″ (0.7 mm); ESD Rating of Class 3 (> 16 kV) per Human Body Model; These Devices are Pb−Fre
Samacsys Manufacturer	onsemi
Samacsys Modified On	2025-01-22 16:53:39
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最小击穿电压	5 V
最大钳位电压	14.1 V
配置	SINGLE, 1 CHANNEL
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	158 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.2 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	IEC-61000-4-2, 4-4
最大重复峰值反向电压	3.3 V
最大反向电流	0.05 µA
反向测试电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30