参数名称 | 参数值 |
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是否无铅 | ![]() |
是否Rohs认证 | ![]() |
生命周期 | Transferred |
Objectid | 1285200154 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | Compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 2.42 |
其他特性 | also operates with 2minv supply @ 25 mhz and 4kv esd availabe |
最大时钟频率 (fCLK) | 40 MHz |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 100000000000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.889 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | FRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.727 mm |
串行总线类型 | SPI |
最大待机电流 | 0.00015 A |
最小待机电流 | 2.7 V |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 3.8985 mm |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |