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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Source Content uid | IPD80P03P4L07ATMA1 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1384824926 |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2 |
| Reach Compliance Code | Not Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.29.00.95 |
| 风险等级 | 9.39 |
| Samacsys Description | MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 135 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0068 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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