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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Not Recommended |
| Objectid | 8320614425 |
| Reach Compliance Code | Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 8.13 |
| Samacsys Description | RF Bipolar Transistors |
| Samacsys Manufacturer | Comchip Technology |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 42 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 285 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
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