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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否无铅 |  不含铅 |
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 1984607741 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 0.52 |
| Samacsys Description | Diodes Inc MMBT2907A-7-F PNP Bipolar Transistor, -600 mA, -60 V, 3-Pin SOT-23Epitaxial Planar Die Construction Ideal for Low Power Amplification and Switching Complementary NPN Type: MMBT2222A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific changecontrol (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAPcapable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),please contact us or |
| Samacsys Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Samacsys Modified On | 2024-06-25 08:04:51 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 60 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 100 ns |
| 最大开启时间（吨） | 45 ns |
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