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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Not Recommended |
| Objectid | 1466259617 |
| 包装说明 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 风险等级 | 5.95 |
| Samacsys Description | MOSFET P-Ch 40V 3.1A TrenchFET SOT23 Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.4 A, -40 V, 3-Pin SOT-23 |
| Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.077 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 61 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-236 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 20 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 47 ns |
| 最大开启时间（吨） | 101 ns |
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