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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 是否Rohs认证 |  符合 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8253054428 |
| 包装说明 | SOP-8 |
| Reach Compliance Code | Not Compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Date Of Intro | 2017-03-22 |
| 风险等级 | 1.7 |
| Samacsys Description | VISHAY - SIR610DP-T1-RE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 35.4A, POWERPAK SO |
| Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Samacsys Modified On | 2023-03-07 16:10:32 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 45 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 35.4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0334 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 11 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 104 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 84 ns |
| 最大开启时间（吨） | 76 ns |
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