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DP3ED16MX8R8Y5-50C
存储 > DRAM

DP3ED16MX8R8Y5-50C

B&B Electronics Manufacturing Company
EDO DRAM Module, 16MX8, 50ns, CMOS, PDSO54, STACK, LEADLESS, MODULE, TSOP-54
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Transferred
风险等级:
8.45
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 1437607106
零件包装代码 TSOP
包装说明 ATSOP,
针数 54
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.02
风险等级 8.45
访问模式 FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G54
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 54
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C
最低工作温度
组织 16MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 ATSOP
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 2.5654 mm
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
参数规格与技术文档
B&B Electronics Manufacturing Company
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