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| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| 生命周期 | Contact Manufacturer |
| Objectid | 145124824851 |
| 包装说明 | USON-8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 8.42 |
| 启动块 | BOTTOM/TOP |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 120 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| 长度 | 4 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 105 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 座面最大高度 | 0.6 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.025 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 3 mm |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
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苏公网安备 32059002001873号