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GD25WD05CTIG
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GD25WD05CTIG

GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc
Flash, 64KX8, PDSO8, SOP-8
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
-
市场总库存:
-
生命周期状态:
Contact Manufacturer
风险等级:
8.37
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
生命周期 Contact Manufacturer
Objectid 145148551862
包装说明 SOP-8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 8.37
其他特性 ALSO OPERTAES WITH 2.1V @ 70MHZ AND 1.65V @5OMHZ
备用内存宽度 1
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz
数据保留时间-最小值 20
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm
内存密度 524288 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 8
字数 65536 words
字数代码 64000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 64KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.23
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
座面最大高度 1.75 mm
串行总线类型 DSPI
最大待机电流 0.000002 A
最大压摆率 0.006 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
类型 NOR TYPE
宽度 3.9 mm
写保护 HARDWARE/SOFTWARE
参数规格与技术文档
GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc
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