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S25FL128SAGMFI003
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S25FL128SAGMFI003

Infineon Technologies AG
Flash, 32MX4, PDSO16,
数据手册:
ECAD 模型:
市场均价:
¥24.7348
市场总库存:
23,194
生命周期状态:
Active
风险等级:
0.88
风险等级:
设计
产品
长期
参数规格
相关器件
详细参数
参数名称 参数值
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 4039765197
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China, Taiwan, Thailand
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
风险等级 0.88
Samacsys Description CYPRESS SEMICONDUCTOR - S25FL128SAGMFI003 - MEMORY, FLASH NOR, 128MBIT, SOIC-16
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2024-01-25 21:25:53
YTEOL 9.8
其他特性 IT ALSO CONFIGURED AS 256M X 1
备用内存宽度 2
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
数据保留时间-最小值 20
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G16
JESD-609代码 e3
长度 10.3 mm
内存密度 134217728 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 16
字数 16777216 words
字数代码 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 16MX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP16,.4
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
编程电压 3 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm
串行总线类型 SPI
最大待机电流 0.0001 A
最大压摆率 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
类型 NOR TYPE
宽度 7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC) 500 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE
参数规格与技术文档
Infineon Technologies AG
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